Ми використовуємо обов'язкові файли cookie для коректної роботи сайту та додаткові, щоб зробити взаємодію з сайтом максимально зручною. Це допомагає нам персоналізувати ваш користувацький досвід, а також отримати аналітичну інформацію для покращення сервісу.
Якщо згодні прийняти всі файли cookie, натисніть «Прийняти всі», якщо ні – «Тільки необхідні». Щоб дізнатися більше, перегляньте Політику використання cookie.
Новий флагманський чіпсет від Samsung
Компанія Samsung презентувала новий топовий чіпсет - Exynos 990. Передбачається, що він буде використаний в новому смартфоні Galaxy S11.
Південнокорейська група компаній презентувала флагманський чіпсет, який в майбутньому планує використовувати в Galaxy S11. Він отримав назву Exynos 990.
Нова платформа виконана за 7-нанометровим техпроцесом EUV. Чіпсет включає два кастомних ядра, два продуктивних ядра ARM Cortex-A76 і чотири енергоефективних ядра Cortex-A55. Також графічний процесор - ARM Mali-G77.
За заявою розробників, продуктивність платформи буде на 20% вище, ніж у її попередниці. Вона підтримує пам'ять LPDDR5; має підтримку екранів з кадровою частотою 120 Гц.
Крім флагманського чіпсета був презентований 5G-модем - Exynos Modem 5123. Він виконаний за аналогічним 7-нанометровим техпроцесом EUV. Пристрій може забезпечити швидкість завантаження до 5,1 гигабита в секунду - в діапазонах нижче 6 ГГц, і до 7,35 гігабіт на секунду - в діапазоні міліметрових хвиль.
Південнокорейська група компаній презентувала флагманський чіпсет, який в майбутньому планує використовувати в Galaxy S11. Він отримав назву Exynos 990.
Нова платформа виконана за 7-нанометровим техпроцесом EUV. Чіпсет включає два кастомних ядра, два продуктивних ядра ARM Cortex-A76 і чотири енергоефективних ядра Cortex-A55. Також графічний процесор - ARM Mali-G77.
За заявою розробників, продуктивність платформи буде на 20% вище, ніж у її попередниці. Вона підтримує пам'ять LPDDR5; має підтримку екранів з кадровою частотою 120 Гц.
Крім флагманського чіпсета був презентований 5G-модем - Exynos Modem 5123. Він виконаний за аналогічним 7-нанометровим техпроцесом EUV. Пристрій може забезпечити швидкість завантаження до 5,1 гигабита в секунду - в діапазонах нижче 6 ГГц, і до 7,35 гігабіт на секунду - в діапазоні міліметрових хвиль.